CXMT acelera su ofensiva en memoria DRAM y apunta a competir con Samsung, SK hynix y Micron
ChangXin Memory Technologies (CXMT), el mayor fabricante chino de memoria DRAM, prepara un salto tecnológico que podría reforzar la posición de China en uno de los componentes esenciales para los servidores de inteligencia artificial. La compañía prevé incorporar antes de que termine 2026 una nueva arquitectura de transistores destinada a aumentar la densidad de sus chips y mejorar su competitividad.
El movimiento llega en un momento especialmente favorable para los fabricantes de memoria. La expansión de los centros de datos para IA ha disparado la demanda de DRAM para servidores, hasta el punto de que los tres grandes proveedores mundiales, SK hynix, Samsung y Micron Technology, tienen dificultades para atender todos los pedidos.
Ese desequilibrio está abriendo una oportunidad para CXMT, que ha incrementado con rapidez tanto su producción como su presencia comercial. La empresa china ya representa el 7,67 % del mercado mundial de DRAM, según datos de Omdia, y se ha situado como el cuarto fabricante global y el primero de China.
Un crecimiento impulsado por los servidores de IA
La evolución financiera de CXMT refleja el tirón del mercado. Su beneficio neto aumentó más de un 1.688 % en un solo trimestre, mientras que la compañía cerró un contrato con Tencent valorado en unos 20.000 millones de yuanes, aproximadamente 2.750 millones de dólares, para suministrar memoria DRAM destinada a servidores.
Además, CXMT ha multiplicado casi por cinco su capacidad de fabricación de chips DRAM durante los últimos cuatro años. Este aumento permite a la compañía aprovechar la escasez internacional, aunque su consolidación dependerá de algo más que del volumen: necesita fabricar memorias con prestaciones, fiabilidad y costes comparables a los de sus rivales surcoreanos y estadounidenses.
La memoria DRAM es el componente que mantiene temporalmente los datos y las instrucciones que utilizan los procesadores. A diferencia del almacenamiento SSD, pierde la información cuando se corta la alimentación, pero ofrece una velocidad muy elevada y resulta imprescindible en ordenadores, servidores y aceleradores de IA.
El objetivo: almacenar más en el mismo espacio
La nueva estrategia de CXMT se centra en aumentar la densidad de almacenamiento. En una memoria DRAM, cada bit se guarda en una celda formada por elementos electrónicos que permiten conservar y leer una carga eléctrica. Cuanto menor sea el tamaño de esas celdas, más unidades pueden integrarse en una misma superficie de silicio.
La arquitectura convencional emplea celdas con una superficie teórica de 6F². La letra F representa una dimensión característica del proceso de fabricación, por lo que esta medida no expresa una superficie fija, sino una relación con el tamaño de las estructuras que se pueden producir. El nuevo diseño de CXMT aspira a reducirla a 4F².
Sobre el papel, el cambio permitiría colocar más celdas en cada chip y fabricar módulos con mayor capacidad sin aumentar proporcionalmente su tamaño. Esa ventaja resulta particularmente importante en los centros de datos, donde la memoria de alta capacidad es necesaria para mantener cargados los modelos de IA y procesar grandes volúmenes de información.
Transistores VSG para reducir espacio y fugas
El elemento más relevante de la propuesta son los transistores VSG, siglas de Vertical Surrounding Gate o puerta envolvente vertical. En lugar de distribuir horizontalmente el canal por el que circula la corriente, esta arquitectura utiliza una disposición vertical y una estructura que rodea el canal para controlar mejor el paso eléctrico.
Este diseño puede reducir el espacio ocupado por cada celda y limitar las fugas de corriente. Estas fugas son corrientes eléctricas no deseadas que atraviesan los componentes incluso cuando deberían permanecer apagados. Su impacto aumenta a medida que se reducen las dimensiones de los transistores y se incrementa la densidad del circuito.
Una menor superficie por celda no garantiza, por sí sola, chips más baratos. La fabricación de semiconductores depende también de la complejidad del proceso, de la cantidad de pasos necesarios y de la proporción de obleas que termina convertida en chips funcionales.
La fabricación masiva será la prueba decisiva
CXMT todavía debe demostrar que su arquitectura mantiene una estabilidad adecuada en condiciones reales. También tendrá que acreditar una relación competitiva entre rendimiento y consumo, dos factores fundamentales en los servidores que funcionan de forma continua y concentran miles de chips en un mismo centro de datos.
El indicador más importante será el rendimiento por oblea, conocido en la industria como yield. Este término describe el porcentaje de chips válidos que se obtienen de una oblea de silicio. Un diseño puede ser técnicamente avanzado, pero resultar poco viable si genera demasiadas unidades defectuosas o requiere procesos excesivamente caros.
La empresa planea introducir la tecnología en módulos de memoria para servidores antes de finales de 2026. Si cumple ese calendario y logra fabricar a gran escala, podría reducir parte de la distancia que aún la separa de Samsung, SK hynix y Micron.
El avance también tendría una dimensión estratégica para China. El país busca reforzar su autonomía en semiconductores y reducir su dependencia de proveedores extranjeros, especialmente en componentes críticos para la inteligencia artificial. CXMT aún debe superar importantes retos técnicos y comerciales, pero su rápido crecimiento y el desarrollo de las celdas de 4F² la colocan en una posición mucho más relevante que hace apenas dos años.
